中国 EUV装置を模倣も オランダメディアから「お粗末」と一蹴
中国当局が多額の資金を投じてオランダASML社の元エンジニア数名をリクルートし、旧型装置を分解するリバースエンジニアリングを通じて、極端紫外線（EUV）露光装置の模倣に成功した。中国側は独自の「EUVプロトタイプ」を完成させたと宣伝している。しかし、オランダメディアは先日、中国には相応の光学技術が欠けており、模倣されたEUV装置では実質的にハイエンドチップを製造することは不可能であると報じた。
最近、中国の官製メディアは、深センの研究開発チームが「技術的障壁を突破」し、「中国独自のEUVプロトタイプ」を製作したと報じた。さらに、このプロジェクトをいわゆる「中国版マンハッタン計画」の重大な成果であると称賛している。この宣伝工作は、オランダの業界関係者の注目を集めることとなった。
オランダの新聞『デ・テレグラーフ（De Telegraaf）』は先日、中国側がASMLのEUV装置を複製したと主張しているものの、光学システムがいまだに中国にとって最大の障壁であると指摘する記事を掲載した。中国は鍵となる光学技術を取得できていないため、模倣したEUV装置だけではハイエンドチップを製造できず、半導体分野におけるASMLのリーダー的地位を揺るがすこともできないという。
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